シリコンベースのCMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)技術は、コンピュータ、スマートフォン、デジタルカメラなど、今日広く使用されている多くの電子デバイスの基礎となっています。
ほとんどの研究者は、新世代の高度なエレクトロニクスに移行するために、CMOSを他の半導体と統合する必要性を認識しています。 このプロセスの一環として、バルセロナの光科学研究所の技術者は、グラフェンをCMOS集積回路に統合することに成功しました。
このプロセスにより、グラフェンは表面上に堆積され、その後必要なピクセル形状を形成するようにパターン化されます。 最終プロセスで、PbSコロイド量子ドットの層が加えられます。 量子ドットは数ナノメートルの非常に小さな半導体粒子です。
http://www.digitaljournal.com/tech-and-science/science/seeing-the-invisible-thanks-to-graphene/article/494431
ほとんどの研究者は、新世代の高度なエレクトロニクスに移行するために、CMOSを他の半導体と統合する必要性を認識しています。 このプロセスの一環として、バルセロナの光科学研究所の技術者は、グラフェンをCMOS集積回路に統合することに成功しました。
このプロセスにより、グラフェンは表面上に堆積され、その後必要なピクセル形状を形成するようにパターン化されます。 最終プロセスで、PbSコロイド量子ドットの層が加えられます。 量子ドットは数ナノメートルの非常に小さな半導体粒子です。
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